存儲業(yè)歷史一幕！長江存儲向三星授權(quán)關(guān)鍵技術(shù)專利

　　近日，韓媒ZDNet Korea報道稱，三星將使用長江存儲專利技術(shù)，系歷史首次。

　　據(jù)悉，近期三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代(V10)NAND Flash產(chǎn)品(430層)開始使用該專利技術(shù)來進行制造。

　　三星電子作為存儲芯片行業(yè)的領(lǐng)頭羊，從中國企業(yè)獲得專利授權(quán)比較罕見。

　　報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。

　　三星經(jīng)過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的影響。

　　與三星相比，長江存儲是一個后起之秀，2016年成立于武漢，至今不到10年。相對于快速搶市場，長江存儲選擇把大部分精力放在了技術(shù)創(chuàng)新以及專利布局等工作上，不僅為推進技術(shù)進步，更為了在專利戰(zhàn)中獲得勝利。

　　截至目前，長江存儲專利申請數(shù)量超過1萬件。2023年11月8日，長江存儲以八件專利起訴美光之后，又在2024年7月追加了11件專利的起訴，兩案并案處理。長江存儲向美光起訴專利侵權(quán)也有一定象征意義，不僅顯示出了自身技術(shù)的領(lǐng)先性，也體現(xiàn)出國內(nèi)企業(yè)在面對外界打壓的頑強性。

　　對于長江存儲來說，此次向三星這樣的頭部存儲技術(shù)大廠提供專利許可，屬于中國存儲產(chǎn)業(yè)歷史上的首次，充分凸顯長江存儲在3D NAND領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新實力。

　　對于長江存儲對外許可專利技術(shù)，您有什么看法呢?

　　來源： 快科技、知識產(chǎn)權(quán)信息網(wǎng)等